氮化镓(GaN)是一种坚硬且非常稳定的第三代半导体材料，可在高温和高电压下进行长时间运作。此次在港设立的研发中心，将聚焦开发8寸氮化镓外延片工艺及设备平台，用于制作氮化镓光电子和功率器件。相关中试线将耗资2亿港元，设立投产后，会进行氮化镓外《欢迎登陆使用彩票版》延片的小批量生产。

　　香港特区政府创新科技及工业局局长孙东在当天活动上致辞指出，香港要因地制宜发展新质生产力，须发挥好香港的国际化优势和雄厚的科研实力，支持优势科技产业在港发展，而第三代半导体就是香港近年来重点发展的科技领域。氮化镓外延工艺是发展第三代半导体的关键技术，能够优化产品性能，提升稳定性，为行业带来革命性突破。

　　孙东提到，特区政府正以产业导向为原则，积极推进微电子产业发展。香港微电子研发院将于年内成立，并设立碳化硅和氮化镓两条中试线，协助初创、中小企业进行试产、测试和认证，促进产、学、研在第三代半导体核心技术上的合作。

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　　本报记者 王道生 【编辑:罗伯斯庇尔 】